SK海力士加码AI芯片领域 10亿美元投资挑战三星与美光(MU.US)

智通财经APP获悉，韩国半导体制造商SK海力士正在加大对先进芯片封装技术的投资，希望抓住对于人工智能发展至关重要组件――高带宽内存(HBM)的日益增长需求。据了解，该公司位于利川的工厂计划投资超过10亿美元用于扩展和改善其芯片制造的最终步骤。

三星电子前工程师、现SK海力士封装开发主管李康旭(Lee Kang-Wook)表示，HBM作为最受追捧的AI内存的优势在于其创新封装过程，而进一步的改进将是降低功耗、提升性能并巩固公司在HBM市场领先地位的关键。

李康旭专门研究半导体的组合和连接的先进方法，这在现代AI及其通过并行处理链处理大量数据的时代日益重要。尽管SK海力士尚未公布今年的资本支出预算，但分析师平均预计为14万亿韩元(约合105亿美元)。这表明，可能占到总支出的十分之一的先进封装技术是该公司的主要优先事项。

李康旭在一次采访中表示：“半导体行业的前50年是关于前端的，即芯片本身的设计和制造，但接下来的50年将全是关于后端，即封装。”

值得一提的是，SK海力士曾被英伟达(NVDA.US)选中，为其标杆AI加速器提供HBM，使这家韩国公司的价值飙升至119万亿韩元。自2023年初以来，其股价增长了近120%，使其成为韩国第二大价值公司，表现优于三星和美国竞争对手美光科技(MU.US)。

现年55岁的李康旭曾在2000年因其3D集成技术的研究而在日本东北大学获得博士学位。2002年，他加入三星电子的存储器部门，领导了基于通孔硅(TSV)的3D封装技术的开发。

他的这项工作后来成为HBM开发的基础。HBM是一种高性能内存，通过在芯片之间堆叠并用TSV连接，以实现更快、更高效的数据处理。

但在智能手机时代之前，三星更多的投注在其他领域，而全球芯片制造商通常将芯片的组装、测试和封装任务外包给亚洲较小国家。

因此，当SK海力士及其美国合作伙伴AMD(AMD.US)于2013年向世界推出HBM时，他们在两年内未受到挑战，直到三星在2015年底开发了HBM2。李康旭于三年后加入SK海力士。他们自豪地开玩笑说，HBM代表“Hynix's Best Memory”。

对此，分析师表示，“SK海力士的管理层对这个行业的发展方向有更好的洞察力，并为此做好了充分的准备。而三星则掉以轻心。”

ChatGPT于2022年11月发布，这是李康旭一直在等待的时刻。那时，他的团队已经开发了一种名为大规模重流铸模填充(MR-MUF)的新封装方法。SK海力士与日本Namics公司合作，涉及相关材料和专利。

目前，SK海力士正将大部分新投资用于推进MR-MUF和TSV技术的发展。

值得注意的是，三星电子(Samsung)这家公司在过去几年中一直受到其最高层继承问题的干扰，但现在正在努力回击或重新夺回市场地位。

去年，英伟达授予三星HBM芯片的合同，三星公司表示，已经开发了第五代HBM技术，HBM3E，拥有12层DRAM芯片和业界最大的36GB容量。

与此同时，总部位于美国爱达荷州博伊西的美光科技也在业界意外宣布，已开始批量生产24GB、八层HBM3E，这将成为英伟达的H200 Tensor Core单元的一部分，并计划在第二季度出货。

鉴于SK海力士正在韩国本土扩展和提升技术，并计划在美国建立价值数十亿美元的先进封装设施，李康旭对SK海力士面对日益激烈的竞争前景持乐观态度。他认为，目前的投资为满足未来HBM代际需求奠定了基础。