美国20年来首家内存芯片厂：美光拟投资150亿美元建厂

财联社上海9月2日讯（编辑 黄君芝）美光科技（Micron Technology Inc.）周四宣布，计划于2030年之前投资150亿美元，在爱达荷州博伊西（Boise）建造一座新的尖端存储器制造厂。

据悉，这将是20年来在美国本土新建的第一家内存芯片制造工厂，也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。美光表示，公司将重点为美国本土市场的汽车和数据中心等行提供内存芯片。

这是美光在《芯片与科学法案》（以下简称“芯片法案”）通过后计划在美国进行的多项投资中的第一项，也是该公司未来十年在全球投资超1500亿美元用于制造和研发计划的一部分，其中包括在2030年前投资400亿美元，在美国分多个阶段建立内存制造厂。

美光在一份声明中表示，将新的制造工厂与该公司总部的研发中心建造在同一地方，将提高运营效率，加速技术部署，并缩短上市时间。不过，美光没有提供新工厂产能或将生产何种芯片的详细信息。

此外，凭借《芯片法案》提供的优惠，以及爱达荷州提供的激励措施和州长的支持，美光预计，到2030年，新工厂将创造超过1.7万个工作机会，其中包括近2000个为在美光科技的直接就业机会。

美国总统拜登于本月9日正式签署了价值2800亿美元的《芯片法案》，其中就有520多亿美元是针对半导体领域的。此前有消息称，全球最大的存储芯片巨头之一SK海力士也已计划在美国选址建立一家先进芯片封装工厂，并于明年第一季度左右破土动工。

拜登在一份最新声明中说：“美光今天宣布的消息，是美国的又一次重大胜利。我们将在美国制造电动汽车、芯片、光纤和其他关键部件。”